繼上次宣布重磅投資不足3個月，國內IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)龍頭企業(yè)斯達半導再度加碼碳化硅功率芯片布局。3月3日，斯達半導收跌5.03%，報237.6元。

　　3月2日晚間，斯達半導公告披露了2021年度非公開發(fā)行A股股票預案，公司擬非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過35億元，不超過1600萬股。募集資金扣除相關發(fā)行費用后將用于投資高壓特色工藝功率芯片和SiC(碳化硅)芯片研發(fā)及產業(yè)化項目、功率半導體模塊生產線自動化改造項目和補充流動資金。

　　公告顯示，此次定增募集的35億元資金，有20億元將用于高壓特色工藝功率芯片和SiC研發(fā)及產業(yè)化項目。項目達產后，預計將形成年產36萬片功率半導體芯片的生產能力。斯達半導稱，該項目的成功實施，有助于公司豐富自身產品線，有效整合產業(yè)資源，鞏固并提高公司的市場地位和綜合競爭力。

　　這并不是斯達半導首次布局碳化硅功率芯片。去年12月18日，斯達半導公告稱，公司擬投資22947萬元建設全碳化硅功率模組產業(yè)化項目，投資建設年產8萬顆車規(guī)級全碳化硅功率模組生產線和研發(fā)測試中心。

　　IHS數據顯示，2019年斯達半導在全球IGBT模塊市場排名第8，是唯一進入前10的中國企業(yè)。財報顯示，近年來公司IGBT模塊營收占比均在98%以上，2016至2019年，公司分別實現(xiàn)營收3.01億元、4.38億元、6.75億元、7.79億元，年均復合增速37.30%，歸母凈利潤分別為0.21億元、0.53億元、0.97億元、1.35億元，年均復合增速85.94%。去年前三季度實現(xiàn)營收6.68億元，同比增長18.14%，歸母凈利潤1.34億元，同比增長29.44%。

　　公司近期多次加碼布局碳化硅功率芯片，與當前蓬勃發(fā)展的新能源汽車市場不無關系。斯達半導稱，中國是全球最大的功率半導體市場，在“新基建”的產業(yè)環(huán)境下，5G、新能源汽車、數據中心、工業(yè)控制等諸多產業(yè)對功率半導體產生了巨大需求。碳化硅功率模組作為第三代半導體功率器件，其高溫、高效和高頻特性是實現(xiàn)新能源汽車電機控制器功率密度和效率提升的關鍵要素。汽車級碳化硅功率模組的市場需求將在新能源汽車市場帶動下實現(xiàn)快速增長，市場空間巨大。

　　記者了解到，采埃孚、博世等多家零部件制造商以及特斯拉、比亞迪等車企早已宣布在其部分產品中采用SiC MOSFET方案。根據Yole數據，到2025年新能源汽車用SiC功率器件市場規(guī)模將達到15.5億美元，2019-2025年復合增速38%。國盛證券稱，車用SiC黃金十年即將開啟。華西證券指出，此次斯達半導通過此次定增項目有望突破IGBT、SiC模塊產能瓶頸，提升市占率。

　　根據相關法律法規(guī)要求，申請非公開發(fā)行股票事項需披露公司最近五年被證券監(jiān)管部門和交易所處罰或采取監(jiān)管措施的情況。斯達半導稱，2019年7月5日，公司收到證監(jiān)會警示函，證監(jiān)會就公司申請首次公開發(fā)行股票并上市過程中，財務核算不規(guī)范、信息披露不準確等問題采取出具警示函的行政監(jiān)督管理措施，公司已及時對有關事項進行糾正。